当前位置：首页 > 产品中心

锗分离工艺及设备

锗分离工艺及设备

2021-01-20T01:01:52+00:00

从含锗物料中提锗的研究进展 hanspub

2020年9月3日本文主要介绍了从含锗物料中提取锗的工艺研究进展,总结归纳了火法冶金、湿法冶金以及火法 – 湿法联合法的生产流程、工艺参数、技术指标等情况,通过对比、分 2023年4月3日锌粉还原提锗法等也能实现煤系锗的分离。最后总结分析了锗分离提取存在的问题，并展望了发展方向。关键词煤中锗；锗；赋存状态；浸出；富集；分离引言煤煤系锗的赋存与分离研究进展 cgs2023年4月13日锗是一种重要的金属元素，它广泛应用于半导体、光电子、太阳能电池等领域。由于锗资源的有限性和价值，锗回收工艺成为了当前研究的热点。本文将介绍锗回提取锗工艺流程和锗回收方法的的探讨

【科研进展】我系技术物理研究所成功实现锗同位素工业级

2021年8月11日 2021年7月，技术物理研究所成功实现了72Ge、76Ge同位素的工业级分离技术，获得了公斤级的72Ge（丰度大于60%）、76Ge（丰度大于90%）同位素产品， 2021年1月12日本指标体系规定了高纯二氧化锗、区熔锗锭生产企业清洁生产的一般要求。本指标体系将清洁生产评价指标分为六类，即生产工艺及装备指标、资源能源消耗指标锗行业清洁生产评价指标体系国家发展和改革委员会以含铟、锗的氧化锌烟尘为原料，利用铟、锗浸出特性的不同，通过调控反应过程的酸度，分步浸出铟、锗，并通过铟、锗萃取特性的不同，进一步分离回收铟、锗，从而实现氧化氧化锌烟尘中铟锗的分离回收工艺Separation and Recovery

锗近红外光电探测器制备工艺研究进展 Researching

2020年5月30日 1 锗近红外光电探测器制备工艺研究进展黄志伟 1，汪建元 2，黄巍 2，陈松岩 2，李成 2* (1 厦门大学嘉庚学院，福建漳州；2 厦门大学物理 2023年6月27日 2分离与提取：根据具体的回收方法选择适当的设备和工艺进行分离和提取。物理回收方法可以采用磁选机、重介质分选机等设备；化学回收方法可以采用溶剂萃锗废料回收，锗废料回收的方法与工艺百家号2023年3月8日研发方向一：高效分离与绿色提取技术研发与示范聚焦战略性矿产分选过程绿色高效开发关键技术难题，研发与推广矿物分选新工艺、新技术、新装备、新药剂。重点转化应用与推广工艺矿物学流程诊断技术、绿色分选工艺、高效选矿药剂与先进分选设备。中心研发方向自然资源部战略性矿产综合利用工程技术创新中心

碳化硅产业链 SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游

2022年9月27日拟采用先进技术和设备，实施SiC芯片研发及产业化项目，产品由企业自主研发，各项指标均达到国外同类产品技术要求，部分指标优于进口产品。公司用于新能源汽车的车规级SiC模块获国内外多家著名车企和Tier1客户的项目定点，将对公司20222022年车规级SiC模块销售增长提供推动力。2019年2月12日本发明涉及高纯半导体材料制备技术领域，尤其是一种探测器用13N超高纯度的锗单晶的制备方法和设备。背景技术超高纯锗单晶作为高纯锗核辐射探测器的材料，一个最重要的性能是具有电活性的净杂质浓度要小于2x1010cm。采用通常的半导体材料工艺，把从化学提纯到56个9纯度的材料再用常规的区熔制备13N超高纯锗单晶的方法及设备与流程 X技术网2022年2月18日铟的提取工艺以萃取电解法为主，这也是现今世界上铟生产的主流工艺技术。其原则工艺流程是：含铟原料→富集→化学溶解→净化→萃取→反萃取→锌 (铝)置换→海绵铟→电解精炼→精铟。铟多数与其性质类似的锌、铅、铜和锡等共生，现已发现有自铟的主要提取工艺流程详解 ChemicalBook

同位素分离技术类毕业论文文献有哪些？知乎

2021年12月25日本文是为大家整理的同位素分离技术主题相关的10篇毕业论文文献，包括5篇期刊论文和5篇学位论文，为同位素分离技术选题相关人员撰写毕业论文提供参考。 1[期刊论文]CIAE同位素电磁分离技术的创新与发展期刊：《原2022年11月12日 A 从锌浸出渣中回收铟、镓、锗铟、镓、锗富集在酸性浸出渣中，将酸性浸出渣用回转窑烟化处理，上述元素进入到氧化锌粉中，需进行处理。常用方法：PM法；综合法。 1）预处理：酸浸渣配入炭粒和石灰，在回转窑内，1250℃烟化处理，大部分铟锌冶金环保及其资源综合利用——锌冶炼过程中伴生元素的回收2022年8月15日稀有金属化学术语稀有金属是在地壳中含量较少、分布稀散或难以从原料中提取的金属，如锂、铍、钛、钒、锗、铌、钼、铯、镧、钨、镭等。按其物理、化学性质及生产方法上的不同可分为：（1）稀有轻金属，如铍、锂、铷、铯等；（2）稀有贵金属，如铂、铱、锇等；（3）稀有分散金属，如镓稀有金属知乎

在半导体制造中，为什么硅（Si）比锗（Ge）、碳（C）更

2022年1月30日与锗相比，硅有一个劣势。1 硅二极管比锗势垒大（势垒也称位垒，就是在PN结由于电子、空穴的扩散所形成的阻挡层，两侧的电位差）。观察硅的结构，在硅中电子与原子核紧密结合，将电子从键中分离需要更多的能量，才能穿过势垒，并施加更多的电压来克服内置电压以开始传导。2021年8月26日主要特色: 1、采用气压传感器 +电气比例阀+低摩擦气缸实现高精密压力控制，压力控制精确，压力精度可控制在±2Kg以内,大大提高加工效率与良率，去除速率高 2、液压流体轴承——下盘采用液压流体轴承设计，使用寿命更高，可以减少传动时的振动，加工自主研发精度高，博宏源高精度研磨/抛光设备助力先进制造茶多酚可以应用于食品及医药领域中，因此茶多酚的制取工艺就尤为重要。特种浓缩分离设备可以在茶多酚的制取中发挥重要的作用。特种浓缩分离设备主要应用膜分离工艺，在物质的分离纯化方面的应用广泛，其与吸附、离心、蒸发等传统分离方法的生物分离与纯化技术（书籍）知乎

【科研进展】我系技术物理研究所成功实现锗同位素工业级

发布时间： 2021年7月，技术物理研究所成功实现了72Ge、76Ge 同位素的工业级分离技术，获得了公斤级的 72Ge （丰度大于60%）、76Ge （丰度大于90%）同位素产品，解决了锗同位素长期以来进口的问题，为我国锗同位素工业化生产提供了解决方案。天然 2022年8月12日首先，先普及一个小概念：晶圆制备包括衬底制备和外延工艺两大环节。衬底（substrate）是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以进行外延工艺加工生产外延片。外延（epitaxy）是指在经过切、磨、抛等仔细加工的单晶衬底上生长一层新单晶的 [初探半导体产业]一文搞懂"衬底"“外延”的区别和联系知乎010，,：利用超高真空化学气相沉积系统, 基于低温Ge缓冲层和选区外延技术, 在Si/SiO2图形衬底上选择性外延生长Ge薄膜采用X射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜、拉曼散射光谱等表征了其晶体质量和应硅基锗薄膜选区外延生长研究物理学报

国家重点研发计划“战略性矿产资源开发利用”重点专项 2021

2021年12月21日 28 2021YFC 稀散金属镓锗铟高效富集及分离纯化矿冶科技集团有限公司 3 29 32021YFC 晶质石墨提纯与精深加工技术及大规模示范中国五矿集团（黑龙江）石墨产业有限公司 30 42021YFC 战略性矿产岩矿分析测试技术和标准2023年1月10日油分离器的作用： 1、油分离器的作用是将热气中的油分离出来，并通过自带的控制装置让油回到压缩机的集油槽。2、油分离器可防止油量不足，对压缩机具有保护作用。3、油分离器可防止油积聚在碍事之处并降低效率，因而对制冷系统具有保护作用。太详细了！制冷系统部件图片、结构、作用、工作原理知乎2018年1月16日极板长周期电解技术难题。首次研发出镓锗“加压氧浸—分步萃取”高效分离提取技术及专属萃取剂，显著提升镓锗回收率。开发了大型卧式加压釜、多功能精准吊车及熔铸系统等装备，显著提升了自动化水平和生产效率。核心技术不仅彻底解决了SO锌清洁冶炼与高效利用关键技术和装备

硅片外延生长市场初研半导体

硅片外延生长市场初研 17:00 2020年初，全球第六大、中国较大的半导体硅外延片一体化制造商上海合晶递交了A股科创板招股书，硅外延片首次在资本市场引起关注。虽然硅外延技术在半导体制造领域是最常见、普遍的材料表面加工工艺之一，通过该 2021年7月1日化工机械设备工艺的完善对于企业稳定有序发展有关键意义，直接关系到企业产品质量，可为企业带来良好社会及经济效益。1 氟化工装置的材料选择原则及氟化工艺特点 11 氟化工装置的材料选择原则 111 经济实用设备制作材料的选择需做到实用性强，这是氟化工装置的工艺设计探析2021年12月1日二、稀土的选矿选矿是利用组成矿石的各种矿物之间的物理化学性质的差异，采用不同的选矿方法，借助不同的选矿工艺，不同的选矿设备，把矿石中的有用矿物富集起来，除去有害杂质，并使之与脉石矿物分离的机械加工过程。全世界开采出来的稀土矿石稀土技术、稀土选矿、稀土提纯工艺知乎

一篇文章读懂等离子体刻蚀知乎

2020年12月10日 2 2刻蚀机制刻蚀机理的解释适用于所有类型的等离子体技术，不局限于RIE。通常，等离子体刻蚀是化学刻蚀，不是物理刻蚀，这意味着固体原子与气体原子反应形成化学分子，然后从基片表面移除形成刻蚀。因为VDC的存在，通常存在一定的基片溅 2018年7月2日半导体工艺设备半导体的代表性材料，硅，让许多学者都惊叹，硅这种材料简直就是上帝赐予人类的礼物，它在各方面的表现都堪称完美，无论是丰度、取材，提纯，大规模生产，以及后续各类工艺折半导体科普五半导体材料、工艺和设备知乎2020年4月8日一文看懂半导体关键原料电子特气知乎国产化率仅12%！一文看懂半导体关键原料电子特气近年来，随着国家的对于集成电路产业的重视以及资本的支持，国内的集成电路产业发展迅速，但是与国外仍有国产化率仅12%！一文看懂半导体关键原料电子特气

黄铁矿加工工艺提取浸出选矿方法(全集)哔哩哔哩bilibili

2022年12月18日黄铁矿加工工艺提取浸出选矿方法(全集), 视频播放量 9、弹幕量 0、点赞数 1、投硬币枚数 0、收藏人数 0、转发人数 0, 视频作者技术盛宴, 作者简介所有图文均有版权保护，仿制必追究法律责任。，相关视频：高铝耐火砖配方工艺技术生产方法(全集)，聚四氟乙烯乳液分散液配方工艺及制作流程控制要点:1宣纸的生产工艺及设备( ) 2迁安书画纸的配方及生产工艺( ) 食品加工技术编号:J 技术名称:饮料生产技术 3长度>180mm的硅酸铋〔BSO〕、锗酸铋〔BGO〕单晶生长工艺及晶片加工技术( ) 475—3水溶性光致抗蚀掩孔干膜制备工艺( ) 对外贸易经济合作部科学技术部令（2001年第16号）中国 2023年7月12日镓、锗市场变化将为产业链带来更多机会管制或导致国际半导体企业新增订单交付周期拉长，预计2023第三季度消费电子及上游芯片或迎来新一轮涨价。国产半导体企业及通信设备企业国产替代窗口有望进一步延长，进而强化竞争优势。深度丨镓、锗两个元素将撬动半导体全球化腾讯网

氧化锌烟尘中铟锗的分离回收工艺Separation and Recovery

以含铟、锗的氧化锌烟尘为原料，利用铟、锗浸出特性的不同，通过调控反应过程的酸度，分步浸出铟、锗，并通过铟、锗萃取特性的不同，进一步分离回收铟、锗，从而实现氧化锌烟尘中铟、锗的分离提取。结果表明，经三段中浸—低酸浸—高酸浸强化浸出 62锌冶金资源综合利用 [29页] 炼过程中循环，进入烟尘。熔炼时，烧结块中的金、银、铜、铋、锑等金 Ag进入其中。烧结块中的镉有50%进入粗锌，粗锌还含有少量铅，均可在精馏过程中回收。此法由于多次中和工艺流程长，液固分离频繁，镓、铟的回收率 62锌冶金资源综合利用[29页] 百度文库2020年10月17日一种锗烷生产工艺，包括以下步骤： s1：naoh溶液的配置； s2：向步骤s1中配置的naoh溶液中加入nabh4配置成溶液a； s3：向步骤s1中配置的naoh溶液中加入ceo2配制成溶液b； s4：浓硫酸溶液的装料； s5：将溶液a、溶液b及浓硫酸进行混合发生化学反应合成锗烷一种锗烷生产工艺的制作方法 X技术网

浮选百度百科

2023年5月9日浮选适于处理细粒及微细粒物料，用其他选矿方法难以回收小于10μm 的微细矿粒，也能用浮选法处理。一些专门处理极细粒的浮选技术，可回收的粒度下限更低，超细浮选和离子浮选技术能回收从胶体颗粒到呈分子、离子状态的各类物质。浮选还可选别火法冶金的中间产品，挥发物及炉渣中的有用 2019年9月9日随着所需粉体细度的提高和产量的增加，分级技术的难度也越来越高，粉体分级问题已成为制约粉体技术发展的关键，是粉体技术中最重要的基础技术之一。因此，对超细粉体分级技术与设备的研究十分必要。 2、分级的原理广义的分级是利用颗粒粒径、密超细粉体的分级技术及其典型设备知乎2022年12月26日利用质子束流轰击合金靶 10 小时，冷却后应用双色谱柱自动化分离装置分离纯化锗68，研究人员成功制备了 5 毫居的 SnO 2 基锗68/ 镓68 发生器。研究中得到的镓 68 产品回收率大于 70% 并具有高放近代物理所在锗68/镓68发生器制备研发中获进展

金属镓提取技术进展豆丁网

2016年8月13日金属镓提取技术进展docx NonferroHsMemlsNovember (1．河南科技大学化工与制药学院，河南洛阳；2．黎明化工研究院，河南洛阳)要：综述从炼铝和炼锌副产品以及煤灰等不同原料中提取镓的技术进展，比较各种方法的优缺点。指出存在的问题以及改进的措施 2019年11月6日目前全球电子气体市场中含氟系列电子气体约占其总量的30%左右，传统品种陆续自主可控，先进工艺及环保气体逐步追赶。总体来看，我国含氟特气发展水平尚可，四氟甲烷、六氟乙烷、三氟化氮、六电子特气数量众多，高端品种进口替代需求强烈气体2019年11月19日 68Ga和无载体（nca）177Lu是目前最具前景和市场活力的靶向放射性诊疗一体化核素。可用于制备具有肿瘤靶向功能的诊断和治疗用放射性药物。 68Ga半衰期为68，正电子衰变分支比为89%，适合标记能够在体内快速分布并到达靶点的小分子化合中国同辐：全球最具前景肿瘤靶向诊疗一体化核素将在中国

云南驰宏锌锗股份有限公司百度百科

云南驰宏锌锗股份有限公司成立于2000年7月18日，于2004年4月20日成为中国证券市场上的A股上市公司（a股代码为）；是中国百家较大的有色金属冶炼企业之一；云南省家被列为国家首批循环经济试点单位的企业。公司现有员工7600余人，具有年采选矿石60万吨、锌产品16万吨、铅产品5万吨、锗 2023年7月4日集微网消息，7月3日，商务部、海关总署发布公告，表示自8月1日起，对镓、锗相关物项实施出口管制，其中包含金属镓、氮化镓（多晶、单晶、晶片、外延片等多种形态）、锗外延生长衬底等。外媒对此议论纷纷。华尔街日报认为，中国一方面欲报复美国等国家对芯片制造设备的出口限制，另亦中国限制出口镓和锗，已有美企积极申请出口许可！哪些企业 2021年7月29日光学加工工艺主要包括毛坯成型、粗磨、精磨、抛光、磨边、镀膜、胶合等工艺环节。光学的原材料：光学玻璃：包括有色光学玻璃、激光玻璃、石英光学玻璃、抗辐射玻璃、紫外红外光学玻璃、纤维光学玻璃、声光玻璃、磁光玻璃和光变色玻璃。光学镜片加工工艺流程是什么啊，大哥们? 知乎

石油化工废水治理之废水来源及特点篇知乎

2022年5月9日石油化工废水治理之废水来源及特点篇 “知其然知其所以然”，要做好废水治理，需先了解废水。大家知道，污水处理中，决定处理工艺与处理难度的就是水质与水量指标，石油化工废水也不例外。那么，石油化工生产中产生的废水，是怎样产生的，特点又锗的提取流程 1 富集富集回收：锗的制取步是从重有色金属冶炼过程回收锗的富集物。如果原料的品位不高，为了节约成本，一般要先进行富集才能进行生产。目前国内以回转窑富集方法的较多，用煤生产锗的一般用煤发电，回收布袋尘、旋风尘，再锗的提取及锗的回收方法金属百科2023年3月27日本文同时着重分析硅平台行业竞争格局，包括全球市场主要企业中国本土市场主要企业竞争格局，重点分析全球主要企业近三年硅平台的收入和市场份额。此外针对硅平台行业产品分类、应用、行业政策、行业发展有利因素、不利因素和进入壁垒也做了详细国内有没有做锗硅外延工艺的平台? 知乎

锗金属二次资源回收研究现状百家号

2022年7月25日锗二次资源回收研究现状目前，锗大部分是从含锗褐煤火法冶炼富集的烟尘及煤灰、铅锌冶炼过程中的锗富集物中提取。然而，全球范围内，锌精矿中锗的回收率仅为3％。燃煤发电过程中产生的灰烬和烟尘中含有大量的锗可以回收再利用。一般来说，可 2023年3月8日研发方向一：高效分离与绿色提取技术研发与示范聚焦战略性矿产分选过程绿色高效开发关键技术难题，研发与推广矿物分选新工艺、新技术、新装备、新药剂。重点转化应用与推广工艺矿物学流程诊断技术、绿色分选工艺、高效选矿药剂与先进分选设备。中心研发方向自然资源部战略性矿产综合利用工程技术创新中心2019年2月12日本发明涉及高纯半导体材料制备技术领域，尤其是一种探测器用13N超高纯度的锗单晶的制备方法和设备。背景技术超高纯锗单晶作为高纯锗核辐射探测器的材料，一个最重要的性能是具有电活性的净杂质浓度要小于2x1010cm。采用通常的半导体材料工艺，把从化学提纯到56个9纯度的材料再用常规的区熔制备13N超高纯锗单晶的方法及设备与流程 X技术网

锗资源综合回收工艺研究现状豆丁网

2015年11月3日矿冶工程VoI．年08MININGANOMETALLURGICALENGINE、ERINGAugust2014锗资源综合回收工艺研究现状 (1．贵州大学矿业学院，贵州贵阳；2贵州省非金属矿产资源综合利用重点实验室，贵州贵刚；3．贵州省优势矿产资源高效利用工程实验室．贵州贵阳)摘要：综述 2022年2月18日铟的提取工艺以萃取电解法为主，这也是现今世界上铟生产的主流工艺技术。其原则工艺流程是：含铟原料→富集→化学溶解→净化→萃取→反萃取→锌 (铝)置换→海绵铟→电解精炼→精铟。铟多数与其性质类似的锌、铅、铜和锡等共生，现已发现有自铟的主要提取工艺流程详解 ChemicalBook2021年12月25日本文是为大家整理的同位素分离技术主题相关的10篇毕业论文文献，包括5篇期刊论文和5篇学位论文，为同位素分离技术选题相关人员撰写毕业论文提供参考。 1[期刊论文]CIAE同位素电磁分离技术的创新与发展期刊：《原同位素分离技术类毕业论文文献有哪些？知乎

锌冶金环保及其资源综合利用——锌冶炼过程中伴生元素的回收

2022年11月12日 A 从锌浸出渣中回收铟、镓、锗铟、镓、锗富集在酸性浸出渣中，将酸性浸出渣用回转窑烟化处理，上述元素进入到氧化锌粉中，需进行处理。常用方法：PM法；综合法。 1）预处理：酸浸渣配入炭粒和石灰，在回转窑内，1250℃烟化处理，大部分铟 2022年8月15日稀有金属化学术语稀有金属是在地壳中含量较少、分布稀散或难以从原料中提取的金属，如锂、铍、钛、钒、锗、铌、钼、铯、镧、钨、镭等。按其物理、化学性质及生产方法上的不同可分为：（1）稀有轻金属，如铍、锂、铷、铯等；（2）稀有贵金属，如铂、铱、锇等；（3）稀有分散金属，如镓稀有金属知乎2022年1月30日与锗相比，硅有一个劣势。1 硅二极管比锗势垒大（势垒也称位垒，就是在PN结由于电子、空穴的扩散所形成的阻挡层，两侧的电位差）。观察硅的结构，在硅中电子与原子核紧密结合，将电子从键中分离需要更多的能量，才能穿过势垒，并施加更多的电压来克服内置电压以开始传导。在半导体制造中，为什么硅（Si）比锗（Ge）、碳（C）更